Fuentes de RF de alta potencia de magnetrones
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y, como resultado, los precios están en su nivel más alto. Las aplicaciones de estabilidad de red y de pico de demanda generalmente están diseñadas para 1000-6000 horas de funcionamiento al año. Debido a su diseño avanzado desde el punto de vista ambiental y su alta eficiencia, generalmente se les permite funcionar más horas que el perfil de planta de pico de demanda convencional de 100-500 horas al año.
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Si bien los estudios académicos sobre circuitos integrados de potencia de GaN de bajo voltaje comenzaron alrededor de 2009 en HKUST, la industrialización de una plataforma de circuitos integrados de potencia de GaN de alto voltaje y robusta fue pionera en Navitas, fundada en 2014, con tres de los cofundadores de Navitas como actores clave en el desarrollo de circuitos integrados de potencia de GaN. El director de tecnología Dan Kinzer ha liderado I+D a nivel de vicepresidente o superior durante más de 30 años, con una amplia
La planificación modernista clásica y sus amenazas
Cada vez resulta más claro, sin lugar a dudas, que el enfoque de la planificación modernista clásica (CMP) que prevaleció después de la Segunda Guerra Mundial enfatiza una gran permisividad para el desarrollo suburbano en expansión de baja densidad y el ascenso meteórico de
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Eficiencia, alta densidad de potencia y potencia de salida en constante crecimiento. Los materiales de banda ancha, como el MOSFET CoolSiC™ de 650 V y el HEMT de modo eléctrico CoolGaN™ de 600 V, permiten avanzar hacia topologías de alto rendimiento como el PFC tipo tótem CCM. Una topología que garantiza una eficiencia del 99 % en la etapa de PFC, lo que lleva a una eficiencia general del sistema del 98 %,
La última incorporación a la cartera de microcontroladores en tiempo real C2000 de tercera generación es la familia TMS320F28003x (Fig. 2), que permite un control en tiempo real de alta eficiencia al tiempo que minimiza los costos del sistema. Familia
